BTC9014A3 Todos los transistores

 

BTC9014A3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTC9014A3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.45 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BTC9014A3 Datasheet (PDF)

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BTC9014A3

Spec. No. : C202A3 Issued Date : 2008.01.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 4 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC9014A3Description The BTC9014A3 is designed for use in pre-amplifier of low level and low noise. Complementary to BTA9015A3. Pb-free package Symbol Outline BTC9014A3 TO-92 BBase CCollector EEmi

 8.1. Size:319K  cystek
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BTC9014A3

Spec. No. : C203A3 Issued Date : 2014.02.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.02.24 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC9013A3Description The BTC9013A3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High current , I = 0.6A C Low V , V = 50mV(typ.) at I /I = 100mA/10mA,

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