BTD5213L3 Todos los transistores

 

BTD5213L3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTD5213L3
   Código: AJ
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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BTD5213L3 Datasheet (PDF)

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BTD5213L3

Spec. No. : C304L3 Issued Date : 2007.05.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.07.28 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTD5213L3Description General purpose mainly intended for use in medium power industrial application and for audio amplifier output stage. Features High collector current and low V CE(SAT). Complement to BTB

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BTD5213L3

Spec. No. : C307M3 Issued Date : 2007.01.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.01.23 Page No. : 1/7 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD5213M3 Features High VCEO, VCEO=100V High IC, IC(DC)=1A Low VCE(sat) Good current gain linearity Complementary to BTB1260M3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTD5213M3 SOT

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BTD5213L3

Spec. No. : C304J3 Issued Date : 2010.12.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.05.16 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTD5213J3Features Low collector saturation voltage High breakdown voltage, V =80V (min.) CEO High collector current, I =1A (DC) C(max) Pb-free lead plating package Symbol Outline TO-252(DPAK)

Otros transistores... BTD2444L3 , BTD2444N3 , BTD2444S3 , BTD2498N3 , BTD2510F3 , BTD2568L3 , BTD4512F3 , BTD5213J3 , 8550 , BTD5213M3 , BTD5510F3 , BTD5765B3 , BTD5974B3 , BTD6055J3 , BTD6055M3 , BTD7520J3 , BTD7521E3 .

 

 
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