BTN3904A3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTN3904A3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO-92
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BTN3904A3 datasheet
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Spec. No. C228A3 Issued Date 2003.10.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.22 Page No. 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN3904A3 Description The BTN3904A3 is designed for general purpose switching amplifier applications. Complementary to BTP3906A3. Pb-free lead plating package. Symbol Outline BTN3904A3 TO-92 B Base
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Spec. No. C228N3-H Issued Date 2002.05.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.01.23 Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN3904N3 Description The BTN3904N3 is designed for general purpose switching amplifier applications. Complementary to BTP3906N3. Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTN3904N3 S
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Spec. No. C228S3 Issued Date 2010.01.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN3904S3 Description The BTN3904S3 is designed for general purpose switching amplifier applications. Complementary to BTP3906S3. Pb-free package Symbol Outline BTN3904S3 SOT-323 B Base C Collector E Emi
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