BTN5551K3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTN5551K3  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO-92L

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BTN5551K3 datasheet

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BTN5551K3

Spec. No. C208K3 Issued Date 2012.06.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.02 Page No. 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN5551K3 Features High breakdown voltage, BV 160V CEO Pb-free lead plating package Symbol Outline BTN5551K3 TO-92L B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Paramete

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BTN5551K3

Spec. No. C208A3 Issued Date 2003.06.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.02 Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN5551A3 Description The BTN5551A3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BT

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