BTPA94N3 Todos los transistores

 

BTPA94N3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTPA94N3

Código: 4Z

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT-23

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BTPA94N3 datasheet

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BTPA94N3

Spec. No. C309N3-H Issued Date 2003.06.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.17 Page No. 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -400V IC -0.15A VCESAT(max) -0.3V BTPA94N3 Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typically V = -0.07V at Ic/I =-10mA/-1mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation a

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BTPA94N3

Spec. No. C309A3 Issued Date 2003.06.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTPA94A3 Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typically V = -0.07V at Ic/I =-10mA/-1mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area). Complementary to BTNA44A3. Symbol Outline

 9.1. Size:250K  cystek
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BTPA94N3

Spec. No. C308A3 Issued Date 2003.06.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.06 Page No. 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTPA92A3 Description High breakdown voltage. (BV =-300V) CEO Low collector output capacitance. Ideal for chroma circuit. Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTPA92A3 TO-

Otros transistores... BTP5401A3 , BTP8550A3 , BTP8550BA3 , BTP8550N3 , BTP9050N3 , BTPA56N3 , BTPA92A3 , BTPA94A3 , MJE340 , BU941ZE3 , BU941ZF3 , BU941ZFP , BU941ZLE3 , BU941ZP3 , D44H11E3 , D44H11J3 , D45H11E3 .

 

 

 


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