NE68019 Todos los transistores

 

NE68019 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NE68019
   Código: 44
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: ULTRA-SUPER-MINI-MOLD
 

 Búsqueda de reemplazo de NE68019

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NE68019 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:247K  nec
 ne680xx 2sc5013 2sc5008 2sc4228 2sc3585 2sc3587 2sc4095.pdf pdf_icon

NE68019

NEC's NPN SILICON HIGH NE680FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE:1.7 dB at 2 GHz2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN:12.5 dB at 2 GHz8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE00 (CHIP) 35 (MICRO-X)LOW CURRENT PERFORMANCEDESCRIPTIONNEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors isdesigned for l

 9.2. Size:625K  nec
 ne680series.pdf pdf_icon

NE68019

NEC's NPN SILICON HIGH NE680FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE: 1.7 dB at 2 GHz 2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN: 12.5 dB at 2 GHz 8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE00 (CHIP) 35 (MICRO-X) LOW CURRENT PERFORMANCEDESCRIPTIONNEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors is de-sig

Otros transistores... TIP31CJ3 , TIP50I3 , TIP50J3 , 2SC5858 , 2SC6118LS , MJW18020G , NE68000 , NE68018 , 2SD1555 , NE68030 , NE68033 , NE68035 , NE68039 , 2SC5618 , 2SC5253 , 2SC5855A , H1061 .

History: 2N4955-78 | 2PD601AQW | 40487 | 2SD2082 | 2SA139

 

 
Back to Top

 


 
.