2N6446 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6446
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.55 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 160 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO77
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2N6446 datasheet
2n6449 2n6450.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-24 B-24 01/99 2N6449, 2N6450 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C High Voltage 2N6449 2N6450 Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 V Reverse Gate Drain Voltage 300 V 200 V Continuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Continuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mW Power Derati
Otros transistores... 2N6438A , 2N6439 , 2N644 , 2N6441 , 2N6442 , 2N6443 , 2N6444 , 2N6445 , 2SC2073 , 2N6447 , 2N6448 , 2N645 , 2N6455 , 2N6456 , 2N6457 , 2N6458 , 2N6459 .
History: 2N6414 | 2N6655-1 | 2N6458 | 2N6563 | 2N6569
History: 2N6414 | 2N6655-1 | 2N6458 | 2N6563 | 2N6569
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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