2N645 Todos los transistores

 

2N645 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N645
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 120 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO9
 

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2N645 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

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Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-24B-24 01/992N6449, 2N6450N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C High Voltage2N6449 2N6450Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 VReverse Gate Drain Voltage 300 V 200 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mAContinuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mWPower Derati

 0.2. Size:93K  interfet
 2n6451 2n6452.pdf pdf_icon

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Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-2501/99 B-252N6451, 2N6452N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio Amplifiers2N6451 2N6452 Low-Noise, High GainReverse Gate Source Voltage 20 V 25 VAmplifiersReverse Gate Drain Voltage 20 V 25 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Low-Noise Preamplifiers

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 2n6453 2n6454.pdf pdf_icon

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Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-26B-26 01/992N6453, 2N6454N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio Amplifiers2N6453 2N6454 Low-Noise, High GainReverse Gate Source Voltage 20 V 25 VAmplifiersReverse Gate Drain Voltage 20 V 25 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Low-Noise Preamplifiers

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