2N645 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N645
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 120 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO9
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N645
2N645 Datasheet (PDF)
2n6449 2n6450.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-24B-24 01/992N6449, 2N6450N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C High Voltage2N6449 2N6450Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 VReverse Gate Drain Voltage 300 V 200 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mAContinuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mWPower Derati
2n6451 2n6452.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-2501/99 B-252N6451, 2N6452N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio Amplifiers2N6451 2N6452 Low-Noise, High GainReverse Gate Source Voltage 20 V 25 VAmplifiersReverse Gate Drain Voltage 20 V 25 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Low-Noise Preamplifiers
2n6453 2n6454.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-26B-26 01/992N6453, 2N6454N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Audio Amplifiers2N6453 2N6454 Low-Noise, High GainReverse Gate Source Voltage 20 V 25 VAmplifiersReverse Gate Drain Voltage 20 V 25 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mA Low-Noise Preamplifiers
Otros transistores... 2N6441 , 2N6442 , 2N6443 , 2N6444 , 2N6445 , 2N6446 , 2N6447 , 2N6448 , TIP35C , 2N6455 , 2N6456 , 2N6457 , 2N6458 , 2N6459 , 2N646 , 2N6460 , 2N6461 .
