2SA1577W Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA1577W

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 32 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 82

Encapsulados: SOT323

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2SA1577W datasheet

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2SA1577W

 7.1. Size:1491K  rohm
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2SA1577W

2SA1577 Datasheet Medium Power Transistor (-32V, -500mA) lOutline l Parameter Value UMT3 VCEO -32V IC -500mA SOT-323 SC-70 lFeatures l 1)Large IC. lInner circuit l ICMAX=-500mA 2)Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 3)Complements the 2SC4097. lApplication l GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL AM

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2SA1577W

AEC-Q101 Qualified Medium Power Transistor (-32V, -05A) 2SA1577FRA Features Dimensions (Unit mm) 1) Large IC. 2SA1577FRA 2SA1577 ICMAX. = -500mA 2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 2.0 0.2 3) Complements the 2SC4097. 2SC4097FRA 1.3 0.1 0.9 0.1 0.65 0.65 0.7 0.1 0.2 (1) (2) Structure 0 0.1 Epitaxial planer type (3) PNP silicon transistor

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2sa1036k 2sa1577 2sa854s 2sa854 2sa1036k 2sa1577.pdf pdf_icon

2SA1577W

Transistors Medium Power Transistor (*32V, *0.5A) 2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Large IC. ICMax. = *500mA 2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 3) Complements the 2SC2411K / 2SC1741S / 2SC4097. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor (96-86-B11) 204 Transistors 2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S FAbsolute maxim

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