2N1225 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1225
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO33-1
- Selección de transistores por parámetros
2N1225 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N1218 , 2N1219 , 2N122 , 2N1220 , 2N1221 , 2N1222 , 2N1223 , 2N1224 , D667 , 2N1226 , 2N1227 , 2N1228 , 2N1229 , 2N123 , 2N1230 , 2N1231 , 2N1232 .
History: 2N2185 | 2N1196 | 2N4355 | 2SC2959 | 2SA909 | 2SA1480E | 2SC4321
History: 2N2185 | 2N1196 | 2N4355 | 2SC2959 | 2SA909 | 2SA1480E | 2SC4321



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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