ST2SC4375U Todos los transistores

 

ST2SC4375U . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ST2SC4375U
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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ST2SC4375U Datasheet (PDF)

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ST2SC4375U

ST 2SC4375U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor High current application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 30 VCollector Emitter Voltage VCEO 30 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 1.5 A0.5 Ptot W Total Power Dissipation11) Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature Range TStg -

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ST2SC4375U

ST 2SC4379U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for power amplification applications Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 50 VCollector Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 2 ABase Current IB 0.4 A0.5 Ptot W Total Power Dissipation1 1) Junction Temperature Tj 150

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ST2SC4375U

ST 2SC4378U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 80 VCollector Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 1 APeak Collector Current ICP 2 A0.5 Ptot W Total Power Dissipation1 1) Junction Temperature Tj 150 Storage Temperature Range Tstg

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ST2SC4375U

ST 2SC4073U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor General purpose amplifier and high voltage application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 120 V Collector Emitter Voltage VCEO 120 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 1 A Peak Collector Current (Single pulse, tp = 300 s) ICP 2 A0.5 Ptot W T

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History: 2SB1135Q

 

 
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