STBD136T Todos los transistores

 

STBD136T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STBD136T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126
 

 Búsqueda de reemplazo de STBD136T

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STBD136T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  semtech
 stbd136t stbd138t stbd140t.pdf pdf_icon

STBD136T

BD136T / BD138T / BD140T PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR Medium power linear and switching applications ECB TO-126 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Value Parameter Symbol Unit BD136T BD138T BD140T-VCBO Collector Base Voltage 45 60 100 V-VCEO Collector Emitter Voltage 45 60 80 V-VEBO Emitter Base Voltage 5 VCollector Current -IC 1.5 ABase Cur

 8.1. Size:454K  semtech
 stbd135t stbd137t stbd139t.pdf pdf_icon

STBD136T

BD135T / BD137T / BD139T NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are designed as Audio Amplifier and Drivers Utilizing. ECB TO-126 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Value Parameter Symbol Unit BD135T BD137T BD139TCollector Emitter Voltage VCEO 45 60 80 VCollector Emitter Voltage ( RBE = 1 K) VCER 45 60 100 VCollector Base Vo

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SA1103

 

 
Back to Top

 


 
.