PJ2N9014CT Todos los transistores

 

PJ2N9014CT . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJ2N9014CT
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.45 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO92

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PJ2N9014CT Datasheet (PDF)

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pj2n9014.pdf

PJ2N9014CT PJ2N9014CT

PJ2N9014 NPN Epitaxial Silicon Transistor PRE-APLIFIER, LOW LEVEL&LOW NOISE High total power dissipation (PT=450mW) TO-92 SOT-23 High h and good linearity FE Complementary to PJ2N9015 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta= 25 C) Rating Symbol Value Uint Pin : 1. Emitter Pin : 1. Base 2. Base Collector Base Voltage V 50 V 2.Emitter CBO3. Collector 3.Collector

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History: MP2358

 

 
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