2N6494 Todos los transistores

 

2N6494 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6494

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 500

Encapsulados: TO3

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2N6494 datasheet

 ..1. Size:160K  bocasemi
2n6494 2n6594.pdf pdf_icon

2N6494

A Boca Semiconductor Corp http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp BSC http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp BSC http //www.bocasemi.com

 ..2. Size:187K  inchange semiconductor
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2N6494

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2N6494 DESCRIPTION High DC current gain h = 500(Min)@ I = 3A FE C With TO-3 package Low collector saturation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and low frequency swithing applications. ABSOLUTE MAXI

 9.1. Size:231K  rca
2n649.pdf pdf_icon

2N6494

 9.2. Size:97K  1
2n6354 2n6496.pdf pdf_icon

2N6494

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