2N6495 Todos los transistores

 

2N6495 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6495

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 25 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO66

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2N6495 datasheet

 ..1. Size:185K  inchange semiconductor
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2N6495

isc Silicon NPN Power Transistor 2N6495 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 80V(Min.) CEO With TO-66 package Low collector saturation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

 9.1. Size:231K  rca
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 9.2. Size:97K  1
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 9.3. Size:151K  motorola
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2N6495

Order this document MOTOROLA by 2N6487/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN 2N6487 Complementary Silicon Plastic Power Transistors * 2N6488 PNP . . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications. DC Current Gain Specified to 15 Amperes 2N6490 hFE = 20 150 @ IC = 5.0 Adc hFE = 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc 2N6491* Collector Emitter Sustaining

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