2N2222AU Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2222AU
Código: P1
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 75 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 75
Encapsulados: SOT323
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2N2222AU datasheet
2n2222au.pdf
SEMICONDUCTOR 2N2222AU TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SC-323/SC-70 package which 3 is designed for low power surface mount applications. Features 1 2 compliance with RoHS requirements. We declare that the material of product SC-70 / SOT 323 ORDERING INFO
2n2222aub.pdf
Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N2222AUB September 1996 Surface Mount NPN General Purpose Transistor Type JANTX, JANTXV, 2N2222AUB Feature Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted) Collector-Base Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 V Ceramic surface mount package Collector-Emitter Voltage. . . . . . .
2n2222aubc.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N2221A 2N2222A JANSD 10K Rads (Si) 2N2221AL 2N2222AL JANSP 30K Rads (Si) 2N2221AUA 2N2222AUA
Otros transistores... LNST3904F3T5G , LNST3906F3T5G , S8050LT1 , S8550LT1 , S9018LT1 , 2SC9013 , 2N2222AE , 2N2222AS , 2N2222A , 2N2907AS , 2N2907AU , BC807S , BC817S , BC847E , DTA201 , DTA202 , DTA203 .
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