DTB216 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DTB216
Código: K8
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 56
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar DTB216
DTB216 Datasheet (PDF)
dtb216.pdf
SEMICONDUCTORDTB216TECHNICAL DATAPNP Silicon Surface Mount Transistorwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an2inverter circuit without connecting external inputresistors (see equivalent circuit). 12) The bias resistors consist of thin-film resistors withS
dtb218.pdf
SEMICONDUCTORDTB218TECHNICAL DATADigital transistors (built-in resistors) Features1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external 3input resistors (see equivalent circuit).22) The bias resistors consist of thinfilm resistors with complete isolation to allow positive biasing of the 1input. They also have the advant
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