DTB218 Todos los transistores

 

DTB218 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTB218
   Código: F52
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 56
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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DTB218 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  first silicon
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DTB218

SEMICONDUCTORDTB218TECHNICAL DATADigital transistors (built-in resistors) Features1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external 3input resistors (see equivalent circuit).22) The bias resistors consist of thinfilm resistors with complete isolation to allow positive biasing of the 1input. They also have the advant

 9.1. Size:186K  first silicon
 dtb216.pdf pdf_icon

DTB218

SEMICONDUCTORDTB216TECHNICAL DATAPNP Silicon Surface Mount Transistorwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an2inverter circuit without connecting external inputresistors (see equivalent circuit). 12) The bias resistors consist of thin-film resistors withS

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History: FMB200 | KT501B | 2N6559 | 2SC1106

 

 
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