DTB218 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DTB218
Código: F52
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 56
Encapsulados: SOT23
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DTB218 datasheet
dtb218.pdf
SEMICONDUCTOR DTB218 TECHNICAL DATA Digital transistors (built-in resistors) Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external 3 input resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist of thinfilm resistors with complete isolation to allow positive biasing of the 1 input. They also have the advant
dtb216.pdf
SEMICONDUCTOR DTB216 TECHNICAL DATA PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an 2 inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 1 2) The bias resistors consist of thin-film resistors with S
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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