DTD101 Todos los transistores

 

DTD101 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTD101
   Código: E6
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 47
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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DTD101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  first silicon
 dtd101.pdf pdf_icon

DTD101

SEMICONDUCTORDTD101TECHNICAL DATADigital transistors (built-in resistors)NPN Silicon Surface Mount Transistorwith Monolithic Bias Resistor Network Applications OUTInverter, Interface, Driver Features GND1) Built-in bias resistors enable the configuration of anINinverter circuit without connecting external inputresistors (see equivalent circuit). SOT-232) The

 9.1. Size:141K  first silicon
 dtd102.pdf pdf_icon

DTD101

SEMICONDUCTORDTD102TECHNICAL DATADigital transistors (built-in resistors) Features1) Built-in bias resistors enable the configuration of aninverter circuit without connecting external input resistors.2) The bias resistors consist of thin film resistors with com-plete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminat-

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History: SRC1219 | 2SC2502 | MPSU31 | 2SC268B | H8550S | BR3DD13009Z8F

 

 
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