DWC302 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DWC302
   Código: 7A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.187 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
Paquete / Cubierta: SOT363

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DWC302 Datasheet (PDF)

9.1. Size:289K first silicon
dwc301-dwc311 dwc317 dwc322 dwc323.pdf

SEMICONDUCTORDWC301~311TECHNICAL DATADWC317, 322, 323Dual Bias ResistorTransistorsNPN Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor NetworkThe BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic biasnetwork consisting of two resistors; a series base resistor and a baseemitter resistor. These65digital transistors are designed to

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History: NSD129 | DTB123YCA | GES5373 | BD942 | KSP92A | SJ5437

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050