2N650A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N650A  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 30 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.75 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO5

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2N650A datasheet

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2N650A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N6500 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 90V(Min) Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for use in high-current, high-speed switching circuits such as low-distortion power amplifiers,oscillators, switching regulators, series regulators, converters

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