FTC3837 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTC3837
Código: AP
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 600 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.9 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 56
Encapsulados: SOT23
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FTC3837 datasheet
ftc3837.pdf
SEMICONDUCTOR FTC3837 TECHNICAL DATA High-Frequency Amplifier Transistor Features 1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz) 3 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.6ps) 2 3.Small NF. 1 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. SOT 23 MAXIMUM RATINGS (T = 25 C unless otherwise noted) A Parameter Symbol Value Unit COLLECTOR Collector-Base Volta
ftc3880.pdf
SEMICONDUCTOR FTC3880 TECHNICAL DATA Purpose High frequency low noise amplifier. Features Small reverse transfer capacitance, low noise figure. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) 3 Symbol Rating Unit 2 V 40 V CBO 1 V 30 V CEO SOT 23 V 4.0 V EBO I 20 mA C I -20 mA COLLECTOR E 3 P 150 mW C T 150 1 j BASE T -55 150 stg 2 EMITTER Ele
ftc3876.pdf
SEMICONDUCTOR FTC3876 TECHNICAL DATA General Purpose Transistors NPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. Purpose General amplifier and switching application. Features Excellent h linearity, complementary pair with FTA1505. FE Absolute maximum ratings(Ta=25 ) 3 Symbol Rating Unit 2 V 35 V CBO 1 V 30 V CEO SOT 23
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History: CTP1033 | CTP1034 | 2SC3104
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Liste
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