FTC8050H Todos los transistores

 

FTC8050H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTC8050H
   Código: 1FC
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

FTC8050H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  first silicon
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FTC8050H

SEMICONDUCTOR FTC8050HTECHNICAL DATA General Purpose Transistors NPN Silicon FEATURE 3 High current capacity in compact package. I C =1.5A. 1 Epitaxial planar type. 2 PNP complement: FTA8550HPb-Free Package is available. SOT23 COLLECTOR DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 3 Shipping Device Marking 1 FTC8050H 1FC 3000/Tape&Reel BASE 2 E

 7.1. Size:222K  first silicon
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FTC8050H

SEMICONDUCTORFTC8050TECHNICAL DATA TRANSISTOR (NPN) FTC8050B C FEATURES Complimentary to FTA8550 Collector current: IC=0.5ADIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEB 4.80 MAXGMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) C 3.70 MAXDD 0.55 MAXSymbol Parameter Value Unit E 1.00F 1.27G 0.85VCBO Collector-Base Voltage 40 V H 0.45_HJ 14.00 0.50+VCEO Col

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BSS56 | BDX83C | 2SB1204

 

 
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