3DD128_A8D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD128_A8D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 3DD128_A8D
3DD128_A8D Datasheet (PDF)
3dd128 a8d.pdf
NPN R 3DD128 A8D 3DD128 A8D NPN VCEO 200 V IC 5 A Ptot TC=25 60 W
3dd128 y8d.pdf
NPN R 3DD128 Y8D 3DD128 Y8D NPN VCEO 200 V IC 4 A Ptot TC=25 60 W
3dd128fh6d.pdf
NPN R 3DD128F H6D 3DD128F H6D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 50 W
3dd128fh8d.pdf
NPN R 3DD128F H8D 3DD128F H8D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 60 W
Otros transistores... S13003AD-H , S13003ADL , S13003DL , S13005A , S13005ED , 3DD127_D3 , 3DD127_D5 , 3DD127D , 2SC945 , 3DD128_Y8D , 3DD128F , 3DD128F_A7D , 3DD128F_H3D , 3DD128F_H5D , 3DD128F_H6D , 3DD128F_H8D , 3DD13001_A1 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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