3DD13003_F3D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD13003_F3D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO251

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3DD13003_F3D datasheet

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3DD13003_F3D

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3DD13003_F3D

NPN R 3DD13003 F6D 3DD13003 F6D VCEO 400 V NPN IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W

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3DD13003_F3D

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3DD13003_F3D

3DD13003(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuou

Otros transistores... 3DD128F_H6D, 3DD128F_H8D, 3DD13001_A1, 3DD13002_B1, 3DD13002_B1-7, 3DD13002_RUD, 3DD13003_E6D, 3DD13003_F1D, D880, 3DD13003_F6D, 3DD13003_H1D, 3DD13003_H6D, 3DD13003_H8D, 3DD13003_J6D, 3DD13003_J8D, 3DD13003_K6, 3DD13003_K8