3DD13003_J6D Todos los transistores

 

3DD13003_J6D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD13003_J6D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 700 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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3DD13003_J6D Datasheet (PDF)

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3DD13003_J6D

NPN R 3DD13003 J6D 3DD13003 J6D NPN VCEO 400 V IC 2 A Ptot W TC=25 50

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3DD13003_J6D

NPN R 3DD13003 J7D 3DD13003 J7D NPN VCEO 400 V IC 2 A Ptot TC=25 50 W

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3DD13003_J6D

NPN R 3DD13003 J8D 3DD13003 J8D NPN VCEO 400 V IC 2 A Ptot W TC=25 60

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3DD13003_J6D

3DD13003(NPN) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters)VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuou

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History: 3DD13003_V1D | H13003 | STD13003Q | 3DD13003F

 

 
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