3DD13003_J8D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD13003_J8D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO220AB

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3DD13003_J8D datasheet

 ..1. Size:155K  crhj
3dd13003 j8d.pdf pdf_icon

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 4.1. Size:151K  crhj
3dd13003 j6d.pdf pdf_icon

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 4.2. Size:153K  crhj
3dd13003 j7d.pdf pdf_icon

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 5.1. Size:246K  lge
3dd13003 to-220-3l.pdf pdf_icon

3DD13003_J8D

3DD13003(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuou

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