3DD13003_K8 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD13003_K8  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO220AB

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3DD13003_K8 datasheet

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3DD13003_K8

NPN R 3DD13003 K8 3DD13003 K8 NPN VCEO 400 V IC 1.8 A Ptot TC=25 60 W

 4.1. Size:152K  crhj
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3DD13003_K8

NPN R 3DD13003 K6 3DD13003 K6 NPN VCEO 400 V IC 1.8 A Ptot TC=25 50 W

 5.1. Size:246K  lge
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3DD13003_K8

3DD13003(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuou

 5.2. Size:205K  lge
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3DD13003_K8

3DD13003(NPN) TO-126 Transistor TO-126 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2.500 7.400 2.900 1.100 7.800 Symbol Parameter Value Units 1.500 VCBO Collector-Base Voltage 700 V 3.900 3.000 4.100 VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V 3.200 10.600 0.000 VEBO Emitter-Base V

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