3DD13003_V1D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD13003_V1D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de 3DD13003_V1D
3DD13003_V1D Datasheet (PDF)
3dd13003 v1d.pdf

NPN R 3DD13003 V1D 3DD13003 V1D VCEO 200 V NPN IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13003 vud.pdf

NPN R 3DD13003 VUD 3DD13003 VUD VCEO 200 V NPN IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.5 W
3dd13003 to-220-3l.pdf

3DD13003(NPN) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters)VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuou
3dd13003 to-126.pdf

3DD13003(NPN) TO-126 TransistorTO-1261.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 3 2 1Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2.5007.4002.9001.1007.800Symbol Parameter Value Units1.500VCBO Collector-Base Voltage 700 V 3.9003.0004.100VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V 3.20010.6000.000VEBO Emitter-Base V
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History: 3DD13003F | H13003 | STD13003Q
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Liste
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