3DD13003_V6D Todos los transistores

 

3DD13003_V6D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD13003_V6D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO126

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3DD13003_V6D Datasheet (PDF)

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3DD13003_V6D

3DD13003(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuou

 5.2. Size:205K  lge
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3DD13003_V6D

3DD13003(NPN) TO-126 Transistor TO-126 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2.500 7.400 2.900 1.100 7.800 Symbol Parameter Value Units 1.500 VCBO Collector-Base Voltage 700 V 3.900 3.000 4.100 VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V 3.200 10.600 0.000 VEBO Emitter-Base V

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