3DD13005_P8D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD13005_P8D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 3DD13005_P8D
3DD13005_P8D Datasheet (PDF)
3dd13005 p8d.pdf
NPN R 3DD13005 P8D 3DD13005 P8D VCEO 400 V NPN IC 2.5 A Ptot TC=25 60 W
3dd13005 c9d.pdf
NPN R 3DD13005 C9D 3DD13005 C9D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W
3dd13005 n8d.pdf
NPN R 3DD13005 N8D 3DD13005 N8D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W
3dd13005 b3.pdf
NPN R 3DD13005 B3 3DD13005 B3 NPN VCEO 450 V IC 2.5 A Ptot TC=25 40 W
Otros transistores... 3DD13005_F8-1 , 3DD13005_F9-1 , 3DD13005_G3D , 3DD13005_G7D , 3DD13005_G8D , 3DD13005_GRD , 3DD13005_N7D , 3DD13005_N8D , C5198 , 3DD13007_B8 , 3DD13007_H8D , 3DD13007_X1 , 3DD13007_Y8 , 3DD13007_Z7 , 3DD13007_Z8 , 3DD13007_B8D , 3DD13009_A8 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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