3DD13007_B8 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD13007_B8
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 3DD13007_B8
3DD13007_B8 Datasheet (PDF)
3dd13007 b8.pdf
NPN R 3DD13007 B8 3DD13007 B8 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80
3dd13007 b8d.pdf
NPN R 3DD13007 B8D 3DD13007 B8D NPN VCEO 400 V IC 7 A Ptot TC=25 80 W
3dd13007 z8.pdf
NPN R 3DD13007 Z8 3DD13007 Z8 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 75 W
3dd13007 z7.pdf
NPN R 3DD13007 Z7 3DD13007 Z7 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 50 W
Otros transistores... 3DD13005_F9-1 , 3DD13005_G3D , 3DD13005_G7D , 3DD13005_G8D , 3DD13005_GRD , 3DD13005_N7D , 3DD13005_N8D , 3DD13005_P8D , 2N3904 , 3DD13007_H8D , 3DD13007_X1 , 3DD13007_Y8 , 3DD13007_Z7 , 3DD13007_Z8 , 3DD13007_B8D , 3DD13009_A8 , 3DD13009_AN .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor