3DD13007_Z7 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD13007_Z7
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO126F
Búsqueda de reemplazo de 3DD13007_Z7
3DD13007_Z7 Datasheet (PDF)
3dd13007 z7.pdf
NPN R 3DD13007 Z7 3DD13007 Z7 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 50 W
3dd13007 z8.pdf
NPN R 3DD13007 Z8 3DD13007 Z8 NPN VCEO 200 V IC 8 A Ptot TC=25 75 W
3dd13007 b8.pdf
NPN R 3DD13007 B8 3DD13007 B8 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80
3dd13007 x1.pdf
NPN R 3DD13007 X1 3DD13007 X1 NPN VCEO 400 V IC 8 A Ptot W TC=25 80
Otros transistores... 3DD13005_GRD , 3DD13005_N7D , 3DD13005_N8D , 3DD13005_P8D , 3DD13007_B8 , 3DD13007_H8D , 3DD13007_X1 , 3DD13007_Y8 , BD140 , 3DD13007_Z8 , 3DD13007_B8D , 3DD13009_A8 , 3DD13009_AN , 3DD13009_C8 , 3DD13009_X8D , 3DD13012_A8 , 3DD13012_AN .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet