3DD13009_C8 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD13009_C8
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 3DD13009_C8
3DD13009_C8 Datasheet (PDF)
3dd13009 c8.pdf

NPN R 3DD13009 C8 3DD13009 C8 NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 100 W
3dd13009 x8d.pdf

NPN R 3DD13009 X8D 3DD13009 X8D VCEO 200 V NPN IC 12 A Ptot TC=25 100 W
3dd13009 an.pdf

NPN R 3DD13009 AN 3DD13009 AN NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 120 W
3dd13009 a8.pdf

NPN R 3DD13009 A8 3DD13009 A8 NPN VCEO 400 V IC 12 A Ptot TC=25 100 W
Otros transistores... 3DD13007_H8D , 3DD13007_X1 , 3DD13007_Y8 , 3DD13007_Z7 , 3DD13007_Z8 , 3DD13007_B8D , 3DD13009_A8 , 3DD13009_AN , 2SD718 , 3DD13009_X8D , 3DD13012_A8 , 3DD13012_AN , 3DD3015_A1 , 3DD3015_A3 , 3DD3020_A3 , 3DD3020_A6 , 3DD3040_A1 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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