2N6555 Todos los transistores

 

2N6555 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6555

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO202

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2N6555 datasheet

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2N6555

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

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2N6555

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2N6555

Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd. Y2N 655S 60V 10A N-Channel MOSFET Power MOSFET (2 IN 1) General Features Proprietary New Trench Technology Ultra-low Miller Charge RDS(ON),typ.=43m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Con

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