2N6558 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6558
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 45 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO202
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2N6558 Datasheet (PDF)
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y2n655s.pdf
Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd.Y2N 655S60V 10A N-Channel MOSFET Power MOSFET (2 IN 1)General FeaturesProprietary New Trench TechnologyUltra-low Miller ChargeRDS(ON),typ.=43m@VGS=10VLow Gate Charge Minimize Switching LossFast Recovery Body DiodeApplicationsHigh efficiency DC/DC Con
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Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050