2N656A Todos los transistores

 

2N656A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N656A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO5
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N656A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

2N656A

 9.2. Size:144K  mospec
 2n6569.pdf pdf_icon

2N656A

AAA

 9.3. Size:11K  semelab
 2n6560.pdf pdf_icon

2N656A

2N6560Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 450V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 9.4. Size:12K  semelab
 2n6561.pdf pdf_icon

2N656A

2N6561Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 300V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

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History: 2SD2079 | 2SC5563 | 2SC2813Q5 | BFS91A | BUW13AF | 2SD1765 | KRC668U

 

 
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