3DA30D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA30D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO3
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3DA30D datasheet
3da30a-g.pdf
3DA30 NPN A B C D E F G PCM Tc=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=1mA 25 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 50 100 150 300 250 300 V ICEO VCE=20V 1 mA IC=1.5A VCEsat 0.8 V IB=0.3A
2sc3063 3da3063.pdf
2SC3063(3DA3063) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Video output amplifier. , Features High V , low C . CEO ob /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 7.0 V EBO I 100 mA C I 200 mA
Otros transistores... 3DA2611 , 3DA2621 , 3DA2654 , 3DA2688 , 3DA2983 , 3DA30A , 3DA30B , 3DA30C , 2N5401 , 3DA30E , 3DA30F , 3DA30G , 3DA3063 , 3DA5147 , 3DA5192 , 3DA5200A , 3DA5200B .
History: 3DA30C | AC123Y
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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