3DA5200C Todos los transistores

 

3DA5200C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DA5200C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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3DA5200C Datasheet (PDF)

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3DA5200C

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors TO 3P 3DA5200C TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR High Breakdown Voltage High Current and Power Capacity 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 120

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3DA5200C

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors TO 3P 3DA5200A TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR High Breakdown Voltage High Current and Power Capacity 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-Emitter Voltage 200

 7.2. Size:116K  jiangsu
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3DA5200C

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors TO 3P 3DA5200B TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR High Breakdown Voltage High Current and Power Capacity 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: MPS3565 | 2N643

 

 
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