3DA5200C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA5200C
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DA5200C
3DA5200C Datasheet (PDF)
3da5200c.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors TO 3P 3DA5200C TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR High Breakdown Voltage High Current and Power Capacity 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 120
3da5200a.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors TO 3P 3DA5200A TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR High Breakdown Voltage High Current and Power Capacity 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-Emitter Voltage 200
3da5200b.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-3P Plastic-Encapsulate Transistors TO 3P 3DA5200B TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR High Breakdown Voltage High Current and Power Capacity 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC945
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Liste
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