3DA608A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA608A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO3
Búsqueda de reemplazo de 3DA608A
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
3DA608A datasheet
3da608.pdf
3DA608 NPN A B C D E F PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 100 150 200 V V(BR)EBO IEB=5mA 4.0 V VCE=10V VCE=20V VCE=30V ICEO 2.0 mA VCE=40V VCE=60V VCE=80V IC=5.0A VCEsat 1.0 V IB=0.5A VCE=3.
3da608.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DA608 DESCRIPTION High DC Current Gain- h 20-180@I = 7.5A FE C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT 3DA608A 40
Otros transistores... 3DA5038 , 3DA5109 , 3DA56 , 3DA58A , 3DA58B , 3DA58C , 3DA58D , 3DA58E , 13009 , 3DA608B , 3DA608C , 3DA608D , 3DA608E , 3DA608F , 3DA6718 , 3DA75A , 3DA75B .
History: 2N6351 | 2SC5536A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor