2SC1074S Todos los transistores

 

2SC1074S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1074S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO92S
 

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2SC1074S Datasheet (PDF)

 8.1. Size:24K  nec
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2SC1074S

 8.2. Size:174K  jmnic
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2SC1074S

Product Specification www.jmnic.comSilicon NPN Power Transistors 2SC1079 2SC1080 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SA679/680 High power dissipation APPLICATIONS For audio power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL

 8.3. Size:122K  inchange semiconductor
 2sc1079 2sc1080.pdf pdf_icon

2SC1074S

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1079 2SC1080 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SA679/680 High power dissipation APPLICATIONS For audio power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=

 8.4. Size:182K  inchange semiconductor
 2sc1079.pdf pdf_icon

2SC1074S

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1079DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh power dissipation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor audio power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 150 VCBO

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History: BD433-25 | BD940 | 40316

 

 
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