QS5W2 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QS5W2
Código: W02
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 320 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 180
Encapsulados: TSMT5
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QS5W2 datasheet
qs5w2.pdf
QS5W2 Datasheet Middle Power Transistor (50V / 3A) lOutline l Parameter Tr1 and Tr2 SOT-25T VCEO 50V IC 3A TSMT5 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage, typically VCE(sat)=350mV (Max.) ( IC/IB=1A/50mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AM
Otros transistores... PZTA28 , PZTA42T1G , PZTA43 , PZTA45 , PZTA92T1G , PZTA93 , PZTA96ST1G , QS5W1 , 2N2907 , QS5Y1 , QS5Y2 , QS6Z5 , QSH29 , QSL10 , QSL11 , QSL12 , QSL9 .
History: MH8113 | 2SC536K | NSD134 | MA898 | WTM669A | CT5606 | 2SA1263NO
History: MH8113 | 2SC536K | NSD134 | MA898 | WTM669A | CT5606 | 2SA1263NO
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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