WTP772 Todos los transistores

 

WTP772 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WTP772

Código: B772

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 55 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO251

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WTP772 datasheet

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WTP772

WTP772 WTP882 PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors TO-251 P b Lead(Pb)-Free 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 1 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol PNP/WTP772 Unit NPN/WTP882 Collector-Emitter Voltage V 30 Vdc CEO -30 Collector-Base Voltage VCBO -40 40 Vdc Emitter-B ase Voltage VEBO -5.0 5.0 Vdc Collector Current (DC) IC(DC) -3.0 3.0 Adc Adc Collector Current (

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WTP772

WTP772 WTP882 PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors TO-251 P b Lead(Pb)-Free 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol PNP/WTP772 Unit NPN/WTP882 Collector-Emitter Voltage V 30 Vdc CEO -30 Collector-Base Voltage VCBO -40 40 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 5.0 Vdc Collector Current (DC) IC(DC) -3.0 3.0 Adc Adc Collector Current

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WTP772

WTP772 PNP Epitaxial Planar Transistors P b Lead(Pb)-Free 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1 2 3 TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol PNP/WTP772 Unit Collector-Emitter Voltage V CEO -30 V Collector-Base Voltage VCBO -40 V Emitter-B ase Voltage VEBO -5.0 V Collector Current (DC) IC(DC) -3.0 A A -7.0 Collector Current (Pulse)1 IC (Pulse) IB B ase Current (

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