ZT86 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZT86
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
Paquete / Cubierta: TO18
- Selección de transistores por parámetros
ZT86 Datasheet (PDF)
zt86.pdf

ZT86Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 5.84 (0.230)5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195)4.52 (0.178)Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 80V 0.48 (0.019)0.41 (0.016)dia.IC = 0.5A 2.54 (0.100)All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTX
fzt869.pdf

FZT869 Green25V NPN HIGH CURRENT TRANSISTOR IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > 25V Case: SOT223 IC = 7A High Continuous Collector Current Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound. ICM = 20A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 Very Low Saturation Voltage VCE(SAT)
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MT3S111 | SGSIF444 | BD417 | HB834 | PN4142 | BD530-5 | 3CG965
History: MT3S111 | SGSIF444 | BD417 | HB834 | PN4142 | BD530-5 | 3CG965



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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