2N6604 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6604
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO128
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N6604
2N6604 Datasheet (PDF)
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Order this documentMOTOROLAby 2N3773/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPN2N3773*Complementary Silicon PowerPNP2N6609TransistorsThe 2N3773 and 2N6609 are PowerBase power transistors designed for high*Motorola Preferred Devicepower audio, disk head positioners and other linear applications. These devices canalso be used in power switching circuits such as relay or solenoid d
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TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
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NPN 2N3773*, PNP 2N6609Preferred DeviceComplementary SiliconPower TransistorsThe 2N3773 and 2N6609 are PowerBaset power transistorsdesigned for high power audio, disk head positioners and other linearapplications. These devices can also be used in power switchinghttp://onsemi.comcircuits such as relay or solenoid drivers, DC-DC converters orinverters.16 A COMPLEMENTARYFeat
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050