2N6604 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N6604
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 2000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO128
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2N6604 datasheet
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NPN 2N3773*, PNP 2N6609 Preferred Device Complementary Silicon Power Transistors The 2N3773 and 2N6609 are PowerBaset power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. These devices can also be used in power switching http //onsemi.com circuits such as relay or solenoid drivers, DC-DC converters or inverters. 16 A COMPLEMENTARY Feat
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