KC817A-40 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KC817A-40
Código: 6C
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 170 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KC817A-40
KC817A-40 Datasheet (PDF)
kc817a.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC817A (KC817A)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1Features3For general AF applications.High collector current.1 2High current gain.+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1Low collector-emitter saturation voltage.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector
kc817.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC817 HF (KC817 HF)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features3 For general AF applications Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BC807 HF ( PNP )1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ra
kc817w.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC817W (KC817W) Features For General AF Applications High Collector Current High Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complementary to BC807W1.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 50 Collector - Emitter Volt
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History: 2N1533A | 2N1420A
Liste
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