KC818-16 Todos los transistores

 

KC818-16 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KC818-16
   Código: 6E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KC818-16 Datasheet (PDF)

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KC818-16

SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC818A (KC818A)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13FeaturesFor general AF applications.High collector current.1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01High current gain.+0.11.9 -0.1Low collector-emitter saturation voltage.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector

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KC818-16

SMD TypeProduct specificationKC818W(BC818W)FeaturesFor general AF applications.High collector current.High current gain.Low collector-emitter saturation voltage.1 Emitter1 Emitter2 Base2 Base3 Collector3 CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 30 VCollector-emitter voltage VCEO 25 VEmitter-base voltage

 9.3. Size:871K  kexin
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KC818-16

SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC818 (KC818)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13FeaturesFor general AF applications.1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01High collector current.+0.11.9 -0.1High current gain.Low collector-emitter saturation voltage.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-b

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