KC818A-40 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KC818A-40
Código: 6G
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 170 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KC818A-40
KC818A-40 Datasheet (PDF)
kc818a.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC818A (KC818A)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13FeaturesFor general AF applications.High collector current.1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01High current gain.+0.11.9 -0.1Low collector-emitter saturation voltage.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector
kc818w.pdf
SMD TypeProduct specificationKC818W(BC818W)FeaturesFor general AF applications.High collector current.High current gain.Low collector-emitter saturation voltage.1 Emitter1 Emitter2 Base2 Base3 Collector3 CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 30 VCollector-emitter voltage VCEO 25 VEmitter-base voltage
kc818.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC818 (KC818)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13FeaturesFor general AF applications.1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01High collector current.+0.11.9 -0.1High current gain.Low collector-emitter saturation voltage.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-b
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