KC849 Todos los transistores

 

KC849 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KC849
   Código: 2B*_2C*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KC849 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:829K  kexin
 kc849 kc850.pdf pdf_icon

KC849

SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC849~BC850 (KC849~KC850)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). PNP complements: BC859 and BC860. 1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collec

 0.1. Size:686K  kexin
 kc849w kc850w.pdf pdf_icon

KC849

SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC849W ~ BC850W(KC849W ~ KC850W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC859W/BC860WC1.Base2.EmitterB3.CollectorE Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitBC849W 30 Collector - Base Voltage VCBOBC850W 50BC849W 30 V Collector - Emitter Voltage VC

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