KCP51 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KCP51
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 63
Encapsulados: SOT223
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KCP51 datasheet
kcp51 kcp52 kcp53.pdf
SMD Type Transistors PNP Transistors BCP51,BCP52,BCP53 (KCP51,KCP52,KCP53) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 Features 3.00 0.1 For AF driver and output stages 4 High collector current Low collector-emitter saturation voltage Complementary to BCP54,BCP55,BCP56 1 2 3 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collecto
Otros transistores... KC858W, KC859, KC859W, KC860, KC860W, RN1116F, RN1114FT, RN1115FT, BDT88, KCP52, KCP53, KCP53-16, KCP54, KCP55, KCP56, KCP56-16, KCP68
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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